如果限定线宽的允许变化范围为±9nm,那么可以从图7.17上找出在最佳曝光能量时的最大允许焦距变化。不仅如此,由于实际工作中,

能量和焦距都是同时发生变化, TA75358如光刻机的漂移,需要得到在能量有漂移的情况下的焦距的最 大允许变化范围。如图7.17所示,可以一定的线宽允许变化范围EL,如±5%为标准(EL=10%),计算所允许的最大焦距变化范围,即在19~21mJ/cm2之间。可以将EL数据同焦距允许范围作图,如图7.18所示。可以发现,在90nm△艺中,在10%EL的变化范围下,最大的对焦深度范围在0.30um左右够不够?一般来讲,对焦深度同光刻机有关,如焦距控制精度,包括机器的焦平面的稳定性、镜的像场弯曲、散光像差、找平(leveling)精度以及硅片平台的平整度等。当然也 能量宽裕度(Exposure Lat“udc,%) 同硅片本身的平整度、化学-机械平坦化工艺所造成的平整度降低程度有关。对于不同的技术节点,典型的对焦深度的要求由表7.1列出。