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对焦深度(找平方法)

发布时间:2017/10/25 21:25:20 访问次数:3184

   对焦深度(Depth of Focus,DC)F),指的是在线宽允许的变化范围内,焦距的最大可变化范围。 TA7521M如图7.13所示,光刻胶随着焦距的变化不仅会发生线宽的变化,还会发生形貌的变化。一般来讲,对透明度比较高的光刻胶,如193nm的光刻胶和分辨率较高的248nm光刻胶,当光刻机的焦平面处于负值时,焦平面靠近光刻胶顶部位置;当高宽比大于2.5~3时,由于光刻胶底部线宽较大,甚至于出现“内切”(undercut),容易发生机械不稳定而倾倒。

   当焦平面处于正值时,由于光刻胶沟槽顶部的线 线贸CDynm 宽较大,顶部的方角会变得圆滑(top rounding)。 12 这种“顶部圆滑”有可能会被转移到刻蚀后的材 l 料形貌中去,所以“内切”和“圆滑”都需要避免。如果将图7.13的线宽数据作图,会得到一张在不同曝光能量下线宽随焦距的变化曲线族,如图7.17所示。

    


   对焦深度(Depth of Focus,DC)F),指的是在线宽允许的变化范围内,焦距的最大可变化范围。 TA7521M如图7.13所示,光刻胶随着焦距的变化不仅会发生线宽的变化,还会发生形貌的变化。一般来讲,对透明度比较高的光刻胶,如193nm的光刻胶和分辨率较高的248nm光刻胶,当光刻机的焦平面处于负值时,焦平面靠近光刻胶顶部位置;当高宽比大于2.5~3时,由于光刻胶底部线宽较大,甚至于出现“内切”(undercut),容易发生机械不稳定而倾倒。

   当焦平面处于正值时,由于光刻胶沟槽顶部的线 线贸CDynm 宽较大,顶部的方角会变得圆滑(top rounding)。 12 这种“顶部圆滑”有可能会被转移到刻蚀后的材 l 料形貌中去,所以“内切”和“圆滑”都需要避免。如果将图7.13的线宽数据作图,会得到一张在不同曝光能量下线宽随焦距的变化曲线族,如图7.17所示。

    


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