在气体预处理后,光刻胶需要被涂敷在硅片表面。涂敷的方法是最广泛使用的旋转涂胶方法。 T66CIRLSKB光刻胶(大约几毫升)先被管路输送到硅片中央,然后硅片会被旋转起来,并且逐渐加速,直到稳定在一定的转速上(转速高低决定了胶的厚度,厚度反比于转速的平方根)。当硅片停下时,其表面已经基本干燥了,厚度也稳定在预先设定的尺寸上。涂胶厚度的均匀性在45nm或更加先进的技术节点上应该在±20A之内。通常光刻胶的主要成分有3种,有机树脂、化学溶剂、光敏感化合物(PAC)。

   详细的光刻胶将在有关光刻胶的章节中讲到。本节只讨论基本流体动力学方面的内容。涂胶工艺流程分为二步:①光刻胶的输送;②加速旋转硅片到最终速度;③匀速旋转直到厚度稳定在预设值。最终形成的光刻胶厚度与光刻胶的黏度和最终旋转速度直接相关。光刻胶的黏度可以通过增减化学溶剂来调整。旋涂流体力学曾经被仔细研究过[明。对光刻胶厚度均匀性的高要求可以通过对以下参数的全程控制来实现:①光刻胶的温度;②环境温度;③硅片温度;④涂胶模块的排气流量和压力。如何降低涂胶相关的缺陷是另一个挑战。实践显示,以下流程的采用可以大幅度的降低缺陷的产生。