前面提到了光刻分辨率由系统的数值孔径和波长决定,当然还有与乃l因子相关的光刻分辨率增强方式有关。P1302/2CR2C本节主要介绍如何评判光刻工艺的分辨率。我们知道,光学系统的分辨率由著名的瑞利(Rayleigh)判据给出。当两个相同大小的点光源靠近到它们的中心到中心的距离等于每一个光源在光学仪器所成像的光强最大值到第一极小值的距离时,光学系统便不能够分辨出是两个还是一个光源,如图7.8所示。不过,即便是符合瑞利判据,两个点光源之间区域的光强仍然比峰值低一些,有大约⒛%的对比度。对于线光源,当光源的宽度是无限小时,对于数值孔径为NA,照明光源的波长为^的光学系统,在像平面的光强分布够印制空间周期为71.5nm的图形呢?回答是否定的。原因有两个:①一个工艺需要一定的宽裕度和工艺指标才能够大规模生产;②所有机器设各的可商业化的制造精度以及机器性能的全面性,如此机器既能够印制在分辨率极限的密集线条,也能够印制孤立的图形,而且还必须最大限度地降低剩余像差对I艺的影响。对于l,35NA的光刻机,阿斯麦公司承诺最小能够生产的图形空间周期为76nm,也就是等间距的38nm密集线条。在光刻工艺当中,极限分辨率只具有参考价值,实际工作当中,我们只谈在某工个空间周期、某一个线宽,具各多大工艺窗口,是否够用于量产。表征工艺窗口的参数将在7.4节中详细讨论,这里做一下简单介绍。通常,表征工艺窗口的参数有曝光能量宽裕度(Exposure LatitLlde,EL)、对焦深度或者焦深(Depth of Focus,DOF)、掩膜版误差因子(Mask Error Factor,MEF)、套刻精度(oveday accuracy)、线宽均匀性(linewidth unf°rmity),等等。