从上面的介绍可以看出,人水方XC17512LPD8C式在整个电镀过程中非常重要。最初的人水方式采用的是冷入水(cold cntry),等硅片完全进人镀液后再通电,但随着线宽的不断缩小,铜种子层的厚度也不断降低,在硅片完全进人镀液的过程中,薄的种子层会被镀液腐蚀而不连续,在随后的电镀过程中产生缺陷。因此,随后的化学电镀工艺采用了热入水(hot entry),即硅片人水之前就在硅片上加载电流,当硅片一接触镀液就开始电镀,铜种子层就不存在被腐蚀的问题了。但当集成电路技术发展到65nm以下时,铜种子层的厚度变得更薄,传统的热入水不再满足要求。超薄的铜种子层具有很高的电阻,当硅片入水的瞬间,电流密度相当大,接触点发热,甚至会被灼焦,将在硅片的边缘产生“C”形缺陷。此时,就需要用到恒电势人水(POT eFltry)方式,即在电镀槽中增加一个参比电极,保持硅片上的电势恒定,恒定人水时 为热人水和恒电势人水的电流密度比较,热人水的人水点电流倍左右。目前,业界先进的化学电镀工艺都已经采用恒电势人水方式。