k为2.5的超低介电常数材料
发布时间:2017/10/21 12:43:04 访问次数:688
低介电常数层间绝缘膜(低乃材料)的用途为减小布线间的电容。布线问的电容与绝缘膜的相对介电常数和布线的横截面积成正比,与布线间隔成反比。 K4S2816320-LC75伴随加工技术的微细化,布线横截面积和布线问隔越来越小,结果导致布线间电容的增加。囚此,为了在推进加I技术微细化的同时叉不至于影响到信号传输速度,必须导人低乃材料以减小线间电容,从而可以很好地减少电信号传播时由于电路本身的阻抗和容抗延迟所带来的信号衰减。为了获得介电常数小于或等于2.5的低乃材料,研究出一种通过在有机硅化合物玻璃中对低乃材料进行紫外光热(ultraviolet ladiation)处理,图4.28表示超低介电常数((2,5)的多孔薄膜的沉积I艺。图4,29是沉积超低介电常数((2.5)的多孔薄膜的设各,图4.30是超低介电常数(<2.5)的多孔薄膜的照片。表迮,10表示超低介电常数(<2.5)的多孔薄膜的特性。
低介电常数层间绝缘膜(低乃材料)的用途为减小布线间的电容。布线问的电容与绝缘膜的相对介电常数和布线的横截面积成正比,与布线间隔成反比。 K4S2816320-LC75伴随加工技术的微细化,布线横截面积和布线问隔越来越小,结果导致布线间电容的增加。囚此,为了在推进加I技术微细化的同时叉不至于影响到信号传输速度,必须导人低乃材料以减小线间电容,从而可以很好地减少电信号传播时由于电路本身的阻抗和容抗延迟所带来的信号衰减。为了获得介电常数小于或等于2.5的低乃材料,研究出一种通过在有机硅化合物玻璃中对低乃材料进行紫外光热(ultraviolet ladiation)处理,图4.28表示超低介电常数((2,5)的多孔薄膜的沉积I艺。图4,29是沉积超低介电常数((2.5)的多孔薄膜的设各,图4.30是超低介电常数(<2.5)的多孔薄膜的照片。表迮,10表示超低介电常数(<2.5)的多孔薄膜的特性。
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