切断:切除单晶硅锭的头部、尾部及N18FPVLR超规格部分,将单晶硅锭分段成切片设备可以处理的长度,应切取试片测量单晶硅锭的电阻率和含氧量等。切断设备:内圆切割机或外圆切割机。

    滚磨:由于生长的单晶硅锭的外径表面并不平整,E111彐晶向硅锭有3个棱,E100]晶向硅锭有4个棱,直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大,通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。外径滚磨设备:磨床。

    定晶向:将滚磨后的硅锭进行平边或V形槽处理,采用X射线衍射方法确定晶向。当X射线被晶体衍射时,通过测量衍射线的方位即可以确定出晶体取向。直径在150mm以下的硅锭,用磨床磨出平边,用来标记晶向和掺杂类型,在后面工艺中用于对准晶向。硅片主要晶向和掺杂类型的定位平边(定位面)形状如图~910所示。更大的硅锭是在其侧面磨出一V形槽。

   磨出平边后用化学腐蚀方法去除滚磨造成的损伤,化学腐蚀液为HPHNo3系统。切片:以主平边为基准,将硅锭切成具有精确几何尺寸的薄晶片。(111)、(100)硅片的切片偏差小于±1°,而外延用(111)硅片应偏离晶向3°±0.5°切片。