氮氧化硅栅极氧化介电层主要是通过对预先形成的SiO2薄膜进行氮掺杂或氮化处理得到的,NC7NZ04K8X氮化的工艺主要有热处理氮化(thermal nitridation)和化学或物理沉积(chemical orphysical dcposition)两种。

   早期的氮氧化硅栅极氧化层的制备是用炉管或单一晶片的热处理反应室来形成氧化膜,然后再对形成的二氧化硅进行原位或非原位的热处理氮化,氮化的气体为N20、NO或NH3中的一种或几种[2]。这种氮化方法工艺简单,可缺点是掺杂的氮含量太少,对硼元素的阻挡作用有限;并且掺杂的氮位置靠近⒏O2和硅底材之间,界面态不如纯氧化硅,对载流子的迁移率、对器件的可靠性都有一定的影响。用热处理氮化得到的氮氧化硅主要用于0.13um及以上的CMOS器件中栅极氧化介电层的制各。

   用化学或物理沉积(chemical or physical deposition)方式来形成SiON的方法很多,比如低能量的离子注人、喷射式蒸汽沉积、原子层沉积、等离子体氮化等,随着CMOS进人90nm以下,栅极氧化介电层及多晶硅的厚度越来越薄.