CMOs与鳍式MOsFET(FinFET)
发布时间:2017/10/17 21:17:25 访问次数:1540
伴随着CMOS器件工艺特征尺寸持续地按比例缩小到14nm及以下技术节点以后,通过采用三维器件结构, T010051从垂直方向进一步增大沟道宽度,进而增加沟道电流。这种具有垂直方向沟道的新颖三维晶体管被称为鳍式场效应晶体管或FinFET「16d7]。目前成熟的14nm节点制造工艺,在单一方向,晶圆上组成沟道的鳍片薄而长,宽为7~15nm,高为15~30nm,重复间距为40~60nm。图3.15给出鳍式场效应晶体管集成制造工艺流程,采用了间隔墙双重图案化技术来形成鳍片并采用RMG流程来形成高虑介质与金属栅极。
伴随着CMOS器件工艺特征尺寸持续地按比例缩小到14nm及以下技术节点以后,通过采用三维器件结构, T010051从垂直方向进一步增大沟道宽度,进而增加沟道电流。这种具有垂直方向沟道的新颖三维晶体管被称为鳍式场效应晶体管或FinFET「16d7]。目前成熟的14nm节点制造工艺,在单一方向,晶圆上组成沟道的鳍片薄而长,宽为7~15nm,高为15~30nm,重复间距为40~60nm。图3.15给出鳍式场效应晶体管集成制造工艺流程,采用了间隔墙双重图案化技术来形成鳍片并采用RMG流程来形成高虑介质与金属栅极。
相关技术资料- 10-17CMOs与鳍式MOsFET(FinFET)
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