一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻的现象称为场效应。利用场效应,使自OB2535CPA身具有放大信号功能的器件称为场效应器件。在这种器件薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。根据器件栅、源漏以及沟道结构的不同,场效应晶体管可以分为以下几种:①采用金属一绝缘体一半导体的系统构成的金属氧化物半导体场效应晶体管(Meta1C)xide Semi∞nductor Field Effect Transistor,MOSFET);②采用PN结构成栅极的结型场效应管(J unction Fiel扯Effcct Transistor,JFET);③采用金属与半导体接触肖特基势垒结构成栅极的MESFET场效应晶体管;④高电子迁移率晶体管 (HEMT),这种器件在结构上与MESFET类似,但是在工作机理上却更接近于M(,SFET。

   无结金属一氧化物-半导体场效应晶体管(Junctionless Field Effect Transistor,JI'FET);

   量子阱场效应晶体管。

   本节我们将主要讨论N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOsFET)或N沟道MOSFET。