在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体, OB2269CCPA两种半导体的交界面附近的区域称为PN结。

   在P型半导体和N型半导体结合后,由于N区内自由电子为多数载流子(多子),空穴几乎为零,称之为少数载流子(少子),而P区内空穴为多子,自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度梯度。由于存在自由电子和空穴浓度梯度的原因,有一些电子从N区向P区扩散,也有一些空穴从P区向N区扩散。它们扩散的结果就使P区一

边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。这些不能移动的带电离子在P区和N区交界面附近,形成了一个空间电荷区,见图1.3。空间电荷区的薄厚与掺杂浓度有关。