多层片状瓷介电容器

   多层片状瓷介电容器在实际应用中大约占80%,通常是无引线

矩形三层结构。NEC569由于电容器的端电极、金属电极、介质三者的热膨胀系数不同,所以在焊接过程中升温速度不能过快,否则易造成电容器的损坏。

   多层片状瓷介电容器根据用途可分为I类陶瓷电容器(国产型号是CC4,1)和H类陶瓷电容器(国产型号为CT4)两种。I类是温度补偿电容器,其特点是低损耗、电容董稳定性高,适用于谐振回路、耦合回路和需要补偿温度效应的电路。Π类是高介质电常数类电容器,其特点是体积小、容量大,适用于旁路、滤波或在对损耗、容量稳定性要求不高的鉴频电路中。多层片状瓷介电容器的外形尺寸如表1.19所示。