然而实验发现,在高温下进行氧化,硼的氧MAX3042BEWE+T化增强扩散效果随氧化温度的升高而减弱,而锑的扩散却可以得到增强。对于硼扩散来说,当氧化温度超过H50℃时,硼扩散就被阻滞而不是增强。此外,生长厚氧化层时也有类似的现象。我们知道在高温氧化和生厚氧化层的过程中,由s/SiO2界面向硅内注入的是空位而不再是间隙硅原子。这样,硼扩散就会囚空位注入而受到阻滞。对锑扩散来说,由于空位注入而得到增强。这就从另一个方面验证了双扩散机制。另外,氧化增强与硅表面的取向有关,在干氧氧化时,氧化增强的效果按(111)、(110)、(100)的顺序递减。

   由于高浓度扩散磷时会产生大量空位,从而可使发射区正下方的硼得以加速扩散,产生发射极推进效应。

   前面所讨论的都是指杂质垂直于半导体表面进行扩散的一维情况,但是对实际中最常采用的掩蔽扩散而言,显然只有扩散窗口中部区域才可近似为一维扩散,对靠近窗口边缘的区域除了垂直于表面的扩散作用外,还有平行于表面的横向扩散作用。

   扩散往往是在硅片表面的特定区域进行的,而不是在整个硅片表面进行,这种扩散称为掩蔽扩散。通常在扩散工艺之前,先在硅片表面生长一定厚度、质量较好的二氧化硅层,然后用光刻或者其他方法去掉需要掺杂区域的二氧化硅以形成扩散掩蔽窗口。而需要扩散的杂质通过窗口以垂直硅表面进行扩散,但也将在窗口边缘附近的硅内进行平行表面的横向扩散。