AD为增强扩散系数;蜂为氧化速率;″为经验参数,其典型值在⒍2讯3之间。MAX3042BEWE然而实验发现,在高温下进行氧化,硼的氧化增强扩散效果随氧化温度的升高而减弱,而锑的扩散却可以得到增强。对于硼扩散来说,当氧化温度超过H50℃时,硼扩散就被阻滞而不是增强。此外,生长厚氧化层时也有类似的现象。我们知道在高温氧化和生长厚氧化层的过程中,由s/SiO2界面向硅内注入的是空位而不再是间隙硅原子。这样,硼扩散就会囚空位注入而受到阻滞。对锑扩散来说,由于空位注入而得到增强。这就从另一个方面验证了双扩散机制。另外,氧化增强与硅表面的取向有关,在干氧氧化时,氧化增强的效果按(111)、(110)、(100)的顺序递减。

    在npn窄基区晶体管制造中,如果基区和发射区分别扩硼和扩磷,则发现在发射区正下方的基区AD为增强扩散系数;蜂为氧化速率;″为经验参数。

   然而实验发现,在高温下进行氧化,硼的氧化增强扩散效果随氧化温度的升高而减弱,而锑的扩散却可以得到增强。对于硼扩散来说,当氧化温度超过H50℃时,硼扩散就被阻滞而不是增强。此外,生长厚氧化层时也有类似的现象。我们知道在高温氧化和生长厚氧化层的过程中,由s/SiO2界面向硅内注入的是空位而不再是间隙硅原子。这样,硼扩散就会囚空位注入而受到阻滞。对锑扩散来说,由于空位注入而得到增强。这就从另一个方面验证了双扩散机制。另外,氧化增强与硅表面的取向有关,在干氧氧化时,氧化增强的效果按(111)、(110)、(100)的顺序递减。