LED器件需要在高真空腔室中蒸镀多层有机薄膜
发布时间:2017/7/5 21:25:10 访问次数:753
温度23±3℃,湿度50±10%RII的白光区进行。上述是oLED显示基板工序,用于LED照明的基板工序可以简化些,主要是对ITo层进行处理形成电极图案。MAX3045CSE
有机薄膜的真空蒸镀工艺
LED器件需要在高真空腔室中蒸镀多层有机薄膜,薄膜的质量关系到器件质量和寿命。在高真空腔室中设有多个放置有机材料的蒸发舟,加热蒸发舟蒸镀有机材料,并利用石英晶体振荡器来控制膜厚。ITo玻璃基板放置在可加热的旋转样品托架上,其下面放置的金属掩膜板控制蒸镀图案。
一般有机材料的蒸发温度一般在170°C~400℃之间、ITO样品基底温度在100℃~150℃、蒸发速度约0.hm~1nn△s、蒸发腔的真空度在5×10彳Pa~3×10叫Pa时蒸镀的效果较佳。单色膜厚通过晶振频率点数和蒸发舟挡板联合控制,而三色则通过掩膜板来控制。但是,有机材料的蒸镀目前还存在材料有效使用率低(<10%)、掺杂物的浓度难以精确控制、蒸镀速率不稳定、真空腔容易污染等不足之处,从而导致样片基板的镀膜均匀度达不到器件要求。
温度23±3℃,湿度50±10%RII的白光区进行。上述是oLED显示基板工序,用于LED照明的基板工序可以简化些,主要是对ITo层进行处理形成电极图案。MAX3045CSE
有机薄膜的真空蒸镀工艺
LED器件需要在高真空腔室中蒸镀多层有机薄膜,薄膜的质量关系到器件质量和寿命。在高真空腔室中设有多个放置有机材料的蒸发舟,加热蒸发舟蒸镀有机材料,并利用石英晶体振荡器来控制膜厚。ITo玻璃基板放置在可加热的旋转样品托架上,其下面放置的金属掩膜板控制蒸镀图案。
一般有机材料的蒸发温度一般在170°C~400℃之间、ITO样品基底温度在100℃~150℃、蒸发速度约0.hm~1nn△s、蒸发腔的真空度在5×10彳Pa~3×10叫Pa时蒸镀的效果较佳。单色膜厚通过晶振频率点数和蒸发舟挡板联合控制,而三色则通过掩膜板来控制。但是,有机材料的蒸镀目前还存在材料有效使用率低(<10%)、掺杂物的浓度难以精确控制、蒸镀速率不稳定、真空腔容易污染等不足之处,从而导致样片基板的镀膜均匀度达不到器件要求。
上一篇:LED显示器件的制备工艺包括
上一篇:金属电极仍要在真空腔中进行蒸镀
热门点击
- SOP和QFP技术
- 两线之间的串扰大小与两线之间寄生电容大小有着
- 天线检测信号的方法
- 合金工艺
- 超浅源漏延伸区结构
- 电容的电参数随电场频率而变化
- 探头靠近晶振时的噪声峰-峰值
- LED器件需要在高真空腔室中蒸镀多层有机薄膜
- Fcc认证
- 电容
推荐技术资料
- DS2202型示波器试用
- 说起数字示波器,普源算是国内的老牌子了,FQP8N60... [详细]