【原因分析】

   该产品只有一块PCB,其上有一个频率为16MHz的晶振3由此可见,160MHz的辐射应该与该晶振有关(注意:并不是说辐射超标是晶振直接辐射造成的):图6.101是该产品局部PCB布局实图,从图6.101中可以明显看到,16MHz的晶振正好布置在PCB的边缘。 当一个被测产品置于辐射发射的测试环境中时,TCAN1042HVDR被测产品中的高速信号线或高速器件与实验室中参考接地板会形成一定的容性耦合,即被测产品中的高速信号线或高速器件与实验室中参考接地板之间存在电场分布或寄生电容,这个寄生电容很小(如小于0.1pF),但是还是会导致产品出现一种共模辐射,产生这种共模辐射的原理如图6.102所示。在图6.102中,晶振壳体上的电压(外壳不接0Ⅴ的晶振)或晶振时钟信号引脚上的电压σDM和参考接地板之间产生寄生回路,回路中的共模电流通过电缆产生共模辐射,共模辐射电流fcM≈C・ω・I/DM,其中,C为PCB中信号印制线与参考接地板之间的寄生电容,约在十分之一皮法到几皮法之间;CP为参考接地板与电缆之间的寄生电容,约为100pF;ω为信号角频率。

   共模辐射电流JcM会在几微安到数十微安之间,由共模辐射公式(6.2) (参见案例甾)可知,电缆上流过这个数量级的共模电流已足够造成辐射发射测试的超标。