瞬态干扰总是通过寄生电容、分布电容进入电路内部。在如图6.1所示的例子中,对于SN1504026DDCR不接地设备,当总是以共模方式出现的EFT/B干扰施加在电源线上时,由于信号电缆与参考地之间的分布电容的存在,导致E田//B共模干扰电流从电源线经PCB,最后通过电缆的分布电容人地(图6.1中箭头线所示)。

   其中在PCB上,由于地阻抗总是较低,所以大部分电流将从PCB中的工作地上流过。由2.1.3节可知,当干扰共模电流流过PCB时,如果在两个逻辑电路之间的地阻抗过大,将影响逻辑电路的正常工作。图6.2是PCB中完整地平面频率与阻抗的关系。

   由图6,2可知,一个完整(无过孔、无裂缝)的地平面,在100MHz的频率时,只有3mΩ的电阻,当有100A的电流流过时,也只会产生0,3Ⅴ的压降,这对于3.3Ⅴ的T巴电平电路来说是可以承受的。因为3.3Ⅴ的mL电平总是要在0.4Ⅴ以上的电压下才会发生逻辑转换,这已经是具有相当的抗干扰能力了。3.3Ⅴ的T⒒电平逻辑关系如图6.3所示。