原因分析

   静电放电时,通常通M25P40-VMN6TB过以下几种方式影响电子设备:

   (1)初始的电场能容性耦合到表面积较大的网络上,并在离EsD电弧100mm处产生高达的高电场。

   (2)电弧注人的电荷、电流可以产生以下损坏和故障:

   ①穿透元器件的内部薄的绝缘层,损毁MOSFET和CMOS的元器件栅极;

   ②CMOS器件中的触发器锁死;

   ③短路反偏的PN结;

   ④短路正向偏置的PN结;

   ⑤熔化有源器件内部的焊接线或铝线。

   (3)静电放电电流导致导体上产生的电压脉冲(σ=L・dj/d莎),这些导体可能是电源或地、信号线,这些电压脉冲将进人与这些网络相连的每一个元器件。

   (4)电弧会产生一个频率范围在1~500MHz的强磁场,并感性耦合到邻近的每一个布线环路中,在离EsD电弧100mm远处的地方产生高达几十~q/m的磁场。

   (5)电弧辐射的电磁场会耦合到长的信号线上,这些信号线起到了接收天线的作用。在此产生中当向RJ-0~s的金属外壳进行接触放电时,RT-笱通过接地线接至参考地,接触放电时会产生一个瞬态的大放电电流,该电流将在附近产生一个较大的电磁场,如果此 时暴露在该电磁场中的器件或信号比较敏感,系统就会出现不正常现象。而此产品中被干扰的信号线距RJ-笱上的静电放电点约3cm的距离,可见,在此案例中的问题主要是以上几种静电放电对于设各影响种类中的最后一种,即电弧辐射的电磁会耦合到长的信号线上,

这些信号线起到了接收天线的作用。并联旁路电容后,一部分耦合到的能量被电容滤除,从而保护了器件接收的信号。