虽然固态电子的极大优点早已为人所知，BAS21LT1G但小型化带来的优越性直到20年后才被认识剑。20世纪50年代，工程师开始着手工作并制定了许多今天仍在使用的基本f艺和材料．

   William Shockley和贝尔实验室对半导体技术的广泛应用有着不可磨灭的功绩，，Shoc:kley在1955年离开贝尔实验室并在加利福尼亚的Palo Alto创建了肖克利实验室。虽然他的实验室未能延续F来，但是它在西海岸建立了半导体制造业并为后来著名的硅谷奠定_『基础，叭尔实验室对它的半导体技术授予许可证并转给制造公司，这促进f半导体产业的腾飞。

   早期的半导体器件是用锗材料来制造的。德州仪器( TI)公司在1954年引入了第一个硅晶体管，从丽改变了这一趋势。而在1956年和1957年贝尔实验室的两个技术进步，即扩散结和氧化掩膜，解决了哪种材料会占主流的问题。

   氧化掩膜的发展带来了硅的时代。二氧化硅( Si02)可以在硅表面上均匀生成，并且有和硅相近的膨胀系数，使得在进行高温处理时不会出现翘起变形，二氧化硅还是绝缘材料，可以在硅表面上充当绝缘层。，另外，它对形成N型和P型区所需的掺杂物有良好的阻挡作用、由于这些技术的进步，Fairchild Camera公司在1960年引入了平面技术。使用f：面提到的技术可以在制造过程中形成（扩散）和保护（二氧化硅）PN结。氧化掩膜的开发也使得可以通过晶圆的表面形成两个PN结，也就是它们都在同一平面(plane)中。这种工艺将半导体技术引入用薄膜连线开发的阶段。