静电干扰传输路径与原理
发布时间:2017/6/8 21:34:26 访问次数:7321
在此案例中,由于静电放电信号的高频谱特性使一些因结构特性形成的寄生电容不能忽略不计。图2.56是静电干扰传输路径与原理图。
图2.56中,CO表示测试点与散热器之间的寄生电容,C2表示散热器与芯片之间的寄生电容。NDD03N60Z-1G静电干扰将从测试点通过CO,再经过C2进入芯片内部电路,从而从产品系统中表现出干扰现象。散热器的存在将大大增加测试点与芯片之间的容性耦合度,因为-方面散热器有着比芯片更大的表面积;另一方面散热器的存在缩短了与测试点表面的距离。因此去掉散热器后,产品抗ESD能力增强。
在此案例中,由于静电放电信号的高频谱特性使一些因结构特性形成的寄生电容不能忽略不计。图2.56是静电干扰传输路径与原理图。
图2.56中,CO表示测试点与散热器之间的寄生电容,C2表示散热器与芯片之间的寄生电容。NDD03N60Z-1G静电干扰将从测试点通过CO,再经过C2进入芯片内部电路,从而从产品系统中表现出干扰现象。散热器的存在将大大增加测试点与芯片之间的容性耦合度,因为-方面散热器有着比芯片更大的表面积;另一方面散热器的存在缩短了与测试点表面的距离。因此去掉散热器后,产品抗ESD能力增强。
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