电场(E场)产生于两个具有不同电位的导体之间。电场的单位为m/Ⅴ,电场强度C0805C225K4RACAUTO正比于导体之问的电压,反比于两导体间的距离。磁场(Ⅱ场)产生于载流导体的周围,磁场的单位为砌饥,磁场正比于电流,反比于离开导体的距离。当交变电压通过网络导体产生交变电流时,会产生电磁(EM)波,E场和Π场互为正交同时传播,如图1.13所示。

   电磁场的传播速度由媒体决定;在自由空间等于光速3×10:m/s。在靠近辐射源时,电磁场的几何分布和强度由干扰源特性决定,仅在远处是正交的电磁场。当干扰源的频率较高时,干扰信号的波长又比被干扰的对象结构尺寸小,或者干扰源与被干扰者之间的距离时,则干扰信号可以认为是辐射场即远场,它以平面电磁波形式向外辐射电磁场能量进人被干扰对象的通路。干扰信号以泄漏和耦合形式,通过绝缘支撑物等(包括空气)为媒介,经公共阻抗的耦合进人被干扰的线路、设备或系统。当干扰源的频率较低时,干扰信号的波长入比被干扰对象的结构尺寸长,或者干扰源与干扰对象之间的距离,则干扰源可以认为是近场,它以感应场形式进入被干扰对象的通路。近场耦合用电路的形式来表达就是电容和电感,电容代表电场耦合关系,电感或互感代表磁场耦合关系。这样辐射干扰信号可以通过直接传导方式引人线路、设备或系统。图1.14是辐射场中近场、远场、磁场、电场与波阻抗的关系图。

   若刈于30MHz,平面波的转折点在I。5m;对于300MHz,平面波的转折点在150mm;对于⒛0MHz,平面波的转折点在50mm。