sUPREM-I发表于1977年,1978年发表了sUPREM-Ⅱ。I和Ⅱ版本只能用于分析硅和工氧化硅中一维杂质分布;1983年推出SUPREM―Ⅲ,它是上两个版本的扩充,尽管也只能分析一维结构,但与SUPREM―Ⅱ相比,有了很大的改进;随后又推出了SUPREM R系列改进版本。FGH40T100SMD_F155

   sUPREM-Ⅳ是斯坦福大学开发的二维I艺模拟软件SU盯CM刂的商用改进版,它是用ΓHE、中最重要的组成部分。SSUPREM―Ⅳ是世界上公认的最先进的集成电路工艺模拟软件之一。通过sSUPREM-Ⅳ对实际工艺的模拟,可以预知工艺结果.减少实验次数:应用结果对有关软件的开发者、使用者及有兴趣的科技人员有较大的参考价值。

   TsUPREM-Ⅳ是当前集成电路工艺仿真sUPREM系列的最高皈本。版本升级的主要标志有以下几点:模拟的维数由一维二层结构、一维多层结构至二维多层结构;可模拟的效应由一级效应、二级效应扩展到二维状态下的诸多效应,相应的数学物理模型逐步扩展,模型精度明显提高;数值算法更趋完善,从而使模拟的精度更为精确。TsUPREM Bˉ与前几种版本主要的区别就是由实施集成电路平面工艺的一维纵向模拟扩展到了二维平面模拟。

   TsUPREM-Ⅳ集成电路I艺仿真系统可实施的仿真功能覆盖了当今各类集成电路的平面I艺丁序,如各种环境下的扩散丁序、各种氧化剂形式,以及各种组合方式下的氧化行为、硅化物介质淀积过程的仿真、各类集成电路制造所使用的掺杂元素的离子注入行为、各种外延生长(正外延、反外延、同质外延、异质外延)过程的描述、氧化介质膜淀积工艺、多形态选择性窗口刻蚀的二维描述、多晶硅介质的淀积等。更为重要的是,TSUPREM-Ⅳ集成电路工艺仿真系统依据二维工艺模型,实时地反映出各种工艺过程中杂质元素的各向异性行为。这样,可以在考察掺杂杂质纵向行为的同时连带考

察它们的横向行为,特别是对于小尺寸器件工艺加工过程的仿真尤为重要。TSUPREM―Ⅳ集成电路工艺仿真系统的模型升级重点在杂质扩散过程二维仿真上。其主要扩充点是与杂质属性密切相关的若干二级效应,诸如离子激活效应、杂质分凝效应、点缺陷复合效应等。芷是因为引入了上述效应的二维描述,则需要考虑掺杂环境分气压的动态变化、不同掺杂气氛及其气氛流量并建立二维各向异性的杂质属性模型,它包含了众多具有各向异性特征的、与杂质属性密切相关的特征参量。