思考题

   (1)铝作为微电子器件的金属化系统,有什么优势和劣势?

   (2)真空蒸镀铝用钨丝作为加热器,有哪些FGA60N65SMD优缺点?目前,铝膜常采用什么方法制备?

   (3)真空镀铝时应注意哪些事项?

   (4)为什么要在真空中镀铝,真空度的高低对铝膜有什么影响?

    反刻铝

   反刻铝是第四次光刻,目的是制各内电极。从真空蒸镀机取出的镀铝硅片直接光刻,这次光刻的工艺步骤与前三次光刻基本相同。但铝的腐蚀液是磷酸,且腐蚀之后不去胶。

    反刻铝掩蔽膜图形如图A9所示。之所以称为“反刻铝”,从掩膜版图可以看出,光刻腐蚀之后所保留的铝膜图形结构与前三次光刻正好相反。

   工艺特点

   反刻铝与前=次光刻的最大不同是接受光刻掩膜图形的是铝膜而不是氧化层。反刻铝有如下特点。

   (1)铝膜对光的反射很强,从铝膜表面反射的光与人射光相位相差180°,在光刻胶图形边缘由于驻波影响,显影之后边缘有弱的锯齿现象;且铝膜是多晶态薄膜,晶粒尺寸在2~8um之间,这也造成腐蚀后图形边缘的不齐整。因此,铝膜光刻与氧化层光刻相比,图形质量略差。

   (2)铝的质地较软,光刻过程中注意不要划伤铝膜表面。  ・

   (3)由于铝膜不透明,光刻对版较困难,操作时要特别认真。