1 氧化层台阶的制备

   取一小片已氧化的陪片,在其表TAS5012IPFB面涂抹一点黑胶,将此硅片置于载玻片,放在电炉上加热,使黑胶熔化覆盖在硅片的一小区域。然后,将硅片浸入氢氟酸腐蚀液中,腐蚀去除未被黑胶覆盖区域的氧化层。在腐蚀过程中,应常用镊子取出硅片,注意观察硅片的亲/疏水特性,因氧化层亲水,而硅疏水,如果硅片表面疏水,则说明裸露的氧化层已被腐蚀干净,应立即取出,以免过腐蚀,造成台阶过窄。反复用超纯水冲洗硅片,再用滤纸吸干水分。最后,用甲苯棉球将黑胶擦除。在硅片表面形成氧化层台阶。

   2测量薄膜厚度

   将带氧化层台阶的硅片置于金相显微镜的载物台上,观察氧化层台阶,读出干涉亮(或暗)条纹数。将得出的干涉条纹数,代人式(A13),计算出氧化层厚度。