这类杂质离子主要有K・、Na、Ca2、Mg2、「e:、H、(OH)、F`α、s、CC):^等,杂质离子来源于空气、生产用具、化学药品、去离子水,以及操作者的汗液、呼气等。TA8122AF离子型杂质是化学吸附、化学键力强,能改变硅片表面电学特性,成为表面自由电子束缚中Jb;电子陷阱,是硅表面界面态发生变化的原因之一。这类杂质在硅片表面可以移动,清洗去除较分子型杂质的难度大。

   原子型杂质吸附

   杂质原子有Au、Ag、Cu、Fe、Nl等,主要来源于酸性腐蚀液,通过置换反应将金属离子还原成原子而被吸附在硅片表面。原子型杂质是化学吸附,吸附作用最强、最难以清除。

   硅片清洗去除上述三种杂质吸附应由易到难,一般程序为:去油污→去离子→去原子。这一顺序不能改变,特别是应先去除油污,油脂都是疏水物质,它的存在阻碍水基洗液接近硅片表面,使得无法去除其他沾污杂质。

    清洗设备与试剂

   采用KQ5200DB型数控超声波清洗器;柜式反渗透超纯水机,水质在10MΩ・cm以上。试剂有:分析纯甲苯、丙酮、乙醇试剂;DZ-1、Dz-2半导体工业专用洗液,或者也可使用酸、碱洗液,碱性洗液,成分(体积比)为NHlOH:H2Oz:H20=1:2:5,Ⅱ・酸性洗液,成分(体积比)为HC卜H2O2:H2C)=1:2:8。

   超声波清洗器(槽)是利用设各内的超声波振子(如压电振子)振动,产生可达数千个大气压的冲击波的能量,以水等液体为媒介,冲击波将被洗物(如硅片)表面吸附的杂质剥离去除。