微电子工艺课程的设置通常除了课堂理论教学之外,实践教学部分也是必不可少的内容。在附TA4004F录A中介绍以双极型硅平面晶体管制造I艺及参数测试为内容的微电子生产实习。

   主要实习内容,即晶体管工艺流程为:

   硅片电阻率测量兴→硅片清洗→一次氧化→氧化层厚度测量艹→光刻腐蚀基区→硼扩散→pll结结深测量失一光刻腐蚀发射区一磷扩散→光刻引线孔→真空镀铝9反刻铝一合金化→中测→划片9上架烧结→压焊→封帽→晶体管电学特性测量+。

   流程中标艹的4个步骤是对工艺参数和晶体管电学特性的测试,每个测试步骤都可以独立地作为工艺课程实验的内容。

   硅片电阻率测量

   工艺实习采用单面抛光、n型、E111晶向、3英寸硅片(使用Vn.~sl外延片更适合,但价格较体硅片昂贵得多),电阻率在1~3Ω・cm之间。首先观察硅片外观是否平整,测量电阻率。

   电阻率是半导体材料的重要电学参数,它能反映半导体内浅能级替位杂质的浓度。测量电阻率的方法有多种,如二探针法、扩展电阻法等。而四探针法是目前广泛采用的标准方法,它具有操作方便、精度较高、对样品的几何形状无严格要求等优点。