(1)厚度测量。 M50-C90XSMD光刻胶胶层厚度是一项重要的工艺参数,I艺规范对其中心值和容差都有严格规定。胶层厚度测量普遍采用台阶测试仪、分光光度计,其他还有椭圆仪、SEM等,后者仅用于薄的胶层和微区检测。

    (2)针孔检测。原则上,检测sO2的方法也可用于光刻胶的针孔检测。方法是,先在硅片上生长一层s02,禾刂用非破坏性的方法(如液晶显示法)检测氧化层针孔,然后进行涂胶、前烘、无掩膜曝光、显影、坚膜等一系列典型的光刻操作,再在BHF中腐蚀。如果光刻胶有针孔,腐蚀液就会透过针孔腐蚀底下的氧化膜,从而在SlO2上腐蚀出与光刻胶针孔位置和密度相对应的针孔,这时即可沿用⒊O2检测针孔的方法检测出的针孔密度,减掉原有的针孔密度,就得到光刻胶的针孔密度。