1化学腐蚀法

   化学腐蚀法是晶体缺陷的常规检测方法。对于各 M36W0R6040T0ZAQT种缺陷已有多种成熟的腐蚀液配方。

   2.X射线形貌照相法

   用于检测位错、层错和夹杂物等。当X射线通过晶体时,会发生偏离原来入射方向的X射线,即X射线的衍射。如果晶体中存在缺陷,这种衍射会在缺陷引起的晶格畸变区大为增强,衍射强度反映了晶格畸变的程度,可用照相底片记录,或用X光导摄像管通过CRT屏幕观察。

   3铜缀饰技术

    X射线形貌法不能用于直接检测微缺陷,这是因为它的分辨能力为数微米,而微缺陷的线度小于1um,晶格畸变区太小。若把样品经过铜缀饰使微缺陷产生的晶格畸变区扩大就可以用X射线形貌法检测了。缀饰后的硅片也可以用红外显微镜观察。

    铜缀饰的过程是:先在样品表面滴上硝酸铜溶液后烘干或在硅片表面真空蒸发一层铜,在900~950℃Ar气氛中扩散1小时,然后快速冷却到室温,这时过饱和的铜就会择优淀积在微缺陷处,再把样品研磨和化学抛光,去除硅铜合金层和表面应力。

   在X射线形貌照片上和红外显微镜下,微缺陷呈现具有一定结晶学方向的花瓣状图像,但对特别小的缺陷,则呈黑点状。