对晶片的检测包括对原始的抛光片和I艺过程中的晶片的检测:对抛光片的检测项目如表132所示。

   在上述检验项目中,外观缺M30800SAGP-BL陷要100%的检验,通常是在硅片进炉前,在100级超净台中,用强紫外光照射硅片表面观察。一般情况下,纯度在1um以上的缺陷和小于1um但弥漫成雾状的缺陷均可检出,必要时可用显微镜做进一步的判定。

    电阻率则是在磨片后100%检测,并按其数值范围分挡(这对MOS集成电路更为重要)。有时为检查材料电阻率的热稳定性,还要对经过各种工艺热处理后的硅片进行电阻率跟踪测量。金属和非金属杂质含量(包括反型杂质的补偿度)一般是材料生产厂家的保证项目,必要时可进行抽检。

   材料原生缺陷和工艺中诱发缺陷一般也作为抽检项目。

   至于几何尺寸和外观缺陷,有的虽然并不反映结晶学的完整性,但它们对后续加工工艺有重大影响,同样不可忽视。

   在实际生产中,由于受检测手段的限制,再加上工艺因素的复杂性,很难把材料性能同成品率和电路性能直接对应起来,因此除了进行一些基本检测外,普遍流行的做法是在工艺线上同时投放两个以上厂家的硅片进行实际对比,并储备一些经过流片证明是质量较好的硅片,作为参照标准。