实时监控
发布时间:2017/5/31 21:25:51 访问次数:515
实时监控是指生产过程中通过监控装置对整个工艺线或具体工艺过程进行的实时监控,当监控M28W320CT-90N6装置探测到某一被测条件达到设定阈值时,工艺线或具体工艺设各就自动进行工艺调整,或者报警(自停止),由操作人员及时进行工艺调整。
现代化的微电子工艺线通常对工艺环境进行实时监控。例如,微电子芯片生产要求在超净环境下进行,通过设置环境监控装置自动调整工艺环境,满足芯片生产对温度、湿度、洁净度等指标的要。
在3.3节介绍的MBE设备中,外延生长室中有完备的监测系统,监测系统主要由四极质谱仪、俄歇电子能量分析器、离子枪和高能电子衍射仪组成。能实现对外延层生长速率、室内气体成分、外延晶体结构和厚度的实时监测及原位分析。操作者由检测分析结果及时调整工艺条件,这是MBE生长的外延层有高品质的前提和保证。
在先进的Cˇ0、P、0等设各中也有类似的监控系统。随着微电子产业的科技进步,当前微电子芯片生产已基本上实现了对全工艺过程的实时监控,并在监控方法、技术、内容等各方面还在不断进步。
实时监控是指生产过程中通过监控装置对整个工艺线或具体工艺过程进行的实时监控,当监控M28W320CT-90N6装置探测到某一被测条件达到设定阈值时,工艺线或具体工艺设各就自动进行工艺调整,或者报警(自停止),由操作人员及时进行工艺调整。
现代化的微电子工艺线通常对工艺环境进行实时监控。例如,微电子芯片生产要求在超净环境下进行,通过设置环境监控装置自动调整工艺环境,满足芯片生产对温度、湿度、洁净度等指标的要。
在3.3节介绍的MBE设备中,外延生长室中有完备的监测系统,监测系统主要由四极质谱仪、俄歇电子能量分析器、离子枪和高能电子衍射仪组成。能实现对外延层生长速率、室内气体成分、外延晶体结构和厚度的实时监测及原位分析。操作者由检测分析结果及时调整工艺条件,这是MBE生长的外延层有高品质的前提和保证。
在先进的Cˇ0、P、0等设各中也有类似的监控系统。随着微电子产业的科技进步,当前微电子芯片生产已基本上实现了对全工艺过程的实时监控,并在监控方法、技术、内容等各方面还在不断进步。
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