MERIE是在传统的RIE中加上永久磁铁或线圈,产生与晶片平行的磁场,此磁场与电场垂直。 ICE2A765P2电子在该磁场作用下将以螺旋方式运动,如此一来,可避免电子与腔壁发生碰撞,同时增加电子与分子碰撞的机会并产生较高密度的等离子体。然而,因为磁场的存在,将使离子与电子的偏折方向不同而分离,造成不均匀性及天线效应的产生,所以磁场常设计为旋转磁场。ˇⅡ玉IE的操作压力与RIE相似,在1~100Pa之间,所以也不适合用于小于0.5Iull以下线宽的刻蚀。

   电子回旋共振式等离子体刻蚀机(ECR)ECR是利用微波及外加磁场来产生高密度等离子体的。当频率ωc等于所加的微波频率时,外加电场与电子能量发生共振耦合,因而产生很高的离子化程度(可大于1%,RIE约为106)。较常使用的微波频率为2,娟GHz,所需的磁场应为O.0875T。ECR的结构如图117所示,微波由微波导管穿过由石英或A1203制成的窗口进入等离子体产生腔中,另外磁场随着与磁场线圈距离的增大而缩小。电子便随着变化的磁场向晶片运动,正离子则是靠浓度梯度向晶片扩散的。通常在晶片上也会施加一个RF或直流偏压用来加速离子,提供离子撞击晶片的能量,借此达到非等向性刻蚀的效果。

   ECR最大的限制在于其所能使用的面积。因为激发等离子体的频率为2.45GHz,波长只有10cnl=右,因此有效的晶片直径大约为6英寸。