在现在的半导体刻蚀制备中,大多数的干法刻蚀都采用CHF3与氯气所混合的等离子体来进行SiO2的刻蚀。CHF3有较佳的选择比。有时甚OPA2348AIDR至再加人少量的氧气来提高其刻蚀速率(囚为可以提高氟原子的浓度)。此外,sF6和N昆也可以用来作为提供氟原子的气体,因为不含碳原子,所以不会在s的表面形成高分子聚合物。

   SiO2的刻蚀并不是一定要得到非常接近90°的轮廓才行。假如sOz刻蚀之后将进行金属的沉积,接近直角的⒏O2轮廓将造成金属沉积的困扰,尤其是溅镀法。因为其台阶覆盖的能力不良,因填缝不完全而留下空洞。所以,SiO2刻蚀的控制,除了必须注意s02与其他材质间(如s)的选择性之外,其各向异性的控制也必须能够与其他工艺相配合,以调整合适的RIE后的轮廓。当然,也不能牺牲刻蚀速率及均匀性。