2005年的国际半导体技术发展路线图(ITRS)中,浸入式光刻、纳米压印光刻、极紫外H27S1G8F2BFR-BI光刻(EUV)和无掩膜光刻(MI'2)一起成为后光刻技术时代的候选技术,下面分别介绍它们的基本原理和发展态势。

   1 浸入式光刻技术

  2002年之后,浸人式光刻技术迅速成为光刻技术中的新宠。在~o003版的《围际半导体技术蓝图》中,增加了一个可能解决方案  浸入式光刻(Immel“on1ithl,bor即hy),⒛04年12月,《国际半导

体技术蓝图》编委会发行了《国际半导体技术蓝图》修订版,其中光刻一章在可能解决方案表中叉给出了一些显著的变化,把193nm光源干法光刻扩展到90nm节点。而在⒛05版的蓝图中,浸人式光刻

继续着其既有的发展态势,作为2007年达到65nm、⒛1o年达到犸nm、⒛13年达到~9O nm和016年达到14nm节'点的关键技术。在传统的光刻技术中,其镜头与光刻胶之间的介质是空气,而所谓浸入式光刻技术是将空气介质换成液体。实际上,浸人式光刻技术利用光通过液体介质后光源波长缩短来提高分辨率,其缩短的倍率即为液体介质的折射率。例如,在19311nl光刻机中,在光源与硅片(光刻胶)之间加入水作为介质,而水的折射率约为1.4,则波长可缩短为193/1。如果放的液体不是水,或者是其他液体,但折射率比1,4高时,那实际分辨率可以非常方便地再次提高,这也是浸人式光刻技术能很快普及的原因。归纳起来,尤其是193nm的浸入式光刻技术,目前的进展比较顺利,全球半导体业界都有充足的信心至少可以实现20nm,甚至11nm节点器件的丁艺。而且到目前为止,还没发现太大的障碍。

    Intel称已将193nm浸人式光刻技术延伸至14nm工艺,在实验室得到了实现。这一突破进一步证明193nm浸人式光刻技术  结合双版技术,可延伸至比想象中更小的节点。同时,这也意味着极紫

外(EuV)光刻可能再次受到被抛弃的压力。 

    当今,193xm浸人式光刻技术成为纳米CMC)s器件光刻工艺的热门话题,这是因为它在传统光刻机的光学镜头与衬底之间的介质用水来替代空气,以缩小曝光光源波长和增大镜头数值孔径NA,从而提高了分辨率,延伸了19311n△于法光刻技术。19311nl浸入式光刻机的生产和使用如表10-1所示。