由于X射线具有很强的穿透能力,深紫外波段的光刻胶对X射线的吸收率很低,只有少SC250-030数人射的X射线能对光化学反应做贡献,通常深紫外曝光的光刻胶在X射线波段灵敏度都非常低,其曝光效率要下降1~2个数量级。因此,提高X射线光刻胶的灵敏度是光刻胶发展的重要方向。提高X射线光刻胶灵敏度的主要方法是:在光刻胶合成时添加在特定波长范围内具有高吸收峰的元素,从而增强光化学反应。具体地说,针对特定的X射线波长,可以通过在光刻胶中掺人特定的杂质来大幅度提高光刻胶的灵敏度。如在电子抗蚀剂中加人铯、铊等,能增加抗蚀剂对X射线的吸收能力,使之可以作为X射线抗蚀剂,如PMMA。

    光学分辨率增强技术

    随着半导体产业发展的不断加速,迫使芯片制造者在追求器件更高性能的同时又要追求加丁成本的经济性,从而竭力与摩尔定律保持一致的步伐。这就使广泛运用的投影光学光刻技术拒绝放弃任何可能的机会,以顽强的生命力不断地突破其先前认定的极限,达到最新前沿。其中,使投影光学光刻青春永驻的驱动力则是各种光学分辨率增强技术的不断突破。光学分辨率增强技术理论的提出和应用突破了根据传统光学理论所预言的投影光学光刻分辨极限的限制,可充分挖掘大量现有投影曝光系统及发展中的深紫外曝光系统的潜力。从广义上讲,光学分辨率增强技术包括移相掩膜技术(phase曲亻t mask)、离轴照明技术(o肛a妊s iⅡLllainaton)、光学邻近效应校正技术(op。cd llro姑n1i1ycorrecton)以及其他一切在不增大数值孔径和不缩短曝光波长的前提下,通过改变光波波前,来提高光刻分辨率,增大焦深和提高光刻图形质量的技术和方法。 F面就几种常见的光学分辨率增强技术进行简单的介绍。