光刻时接收图像的介质称为光刻胶。以光刻胶构成的图形作为掩膜对薄膜进行腐蚀,图形就转移到晶片表面的薄膜上了,所以也称光刻胶为光致抗蚀剂。 S-8052ALO-LG-T1光刻胶在特定波长的光线(或射线)下曝光,其结构发生变化。如果胶的曝光区在显影中除去,称该胶为正性胶(也叫正胶);如果胶的曝光区在显影中保留,而未曝光区除去,称该胶为负性胶(也叫负胶)。光刻胶也可以按其用途划分为可见光胶、电子束光刻胶、X射线光刻胶等。

   光刻胶是一种有机化合物,它受紫外光曝光后,在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面,而后被干燥成胶膜。硅片制造中使用光刻胶的目的如下。

   ①将掩模板图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。

   ②在后续工艺申,保护下面的材料(如刻蚀或离子注人阻挡层)。

    随着器件电路密度持续缩小其关键尺寸,为了将亚微米线宽图形转移到硅片表面,相关技术得到了改善。这些改善包括以下几点。

   ①更好的图形清晰度(分辨率)。

   ②对半导体硅片表面更好的黏附性。

   ③更好的均匀性。

   ④增加了工艺宽容度(对工艺可变量敏感度降低)。