在氧化层上,除了需要刻蚀的窗口外,在其他区域也可能产生大小在1~3um的细小孔洞。这些HAT3018R-EL-E孔洞,在光刻工艺中称为针孔。

   针孔的存在,将使氧化层不能有效地起到掩蔽的作用。在器件生产中,尤其在集成电路和大功率器件生产中,针孔是影响成品率的主要因素之一。它产生的原因有:

   ①氧化硅(或其他)薄膜表面有外来颗粒(如硅渣、石英屑、灰尘等)或胶膜与基片表面未充分沾润,涂胶时留有未覆盖的小区域,腐蚀时产生针孔。

   ②光刻胶含有罔体颗粒,影响曝光效果,显影时易剥落,造成腐蚀时产生针孔。

   ③光刻胶膜本身抗蚀能力差,或胶膜太薄,腐蚀过程中局部蚀穿,造成针孔。

   ④前烘不足,残存溶剂阻碍光刻胶交联,或前烘骤热,溶剂挥发过快,引起鼓泡穿孔,造成针孔。

   ⑤曝光不足,交联不充分,或时间过长,胶层发生皱皮,腐蚀液穿透胶膜,在sQ表面产生腐蚀斑点。

   ⑥腐蚀液配方不当,腐蚀能力太强。

   ⑦掩模板透光区存在黑斑,或沾有灰尘,曝光时局部胶膜未曝光,显影时被溶解,腐蚀时产生针孔。