台阶覆盖特性如何对蒸镀薄膜而言很重要。集成电路制造技术通常希望所淀积薄膜的保形覆盖能力强,L6562DTR而真空蒸镀制备的薄膜存在台阶覆特性较差问题。图⒏17所示是在表面有深宽比为1的微 结构衬底上蒸镀薄膜的台阶覆盖特性。

   通过衬底加热和衬底旋转能够改善真空蒸镀的台阶覆盖特性。这是因为当衬底温度低时,被吸附原子在衬底表面的扩散迁移率很低,而蒸发原子是直线到达衬底的,如果衬底不转动,在不平坦衬

底上,高形貌差将投射出一定的阴影区,所淀积的薄膜也就不能全覆盖,如图⒏17(a)所示。如果衬底被加热,蒸发原子在衬底表面的扩散速率就会有所提高,若此时还旋转衬底,阴影区减少甚至消失,淀积薄膜就能实现全覆盖,如图817(b)所示。

   图⒏17 在表面有深宽比为1的微结构衬底。L蒸镀薄膜的台阶覆盖特性然而,当衬底加热时,衬底所淀积薄膜物质的平衡蒸气压也随着温度升高而增加,使得到达衬底的原子再蒸发返回气相的比例增大,衬底温度过高时甚至不能成膜。而且,衬底温度过高所淀积的多晶薄膜的晶粒尺寸也会增大,这样薄膜表面平整度变差,进而影响到后续的光刻工艺。再一个需要注意的问题是如果淀积合金薄膜,由于各组分原子在衬底表面的扩散系数可能有很大差别,使得在深宽比大的微结构底部的薄膜成分不同于结构顶部的成分。因此,衬底加热温度应依据所淀积薄膜的材料特性来综合考虑,通常在几百摄氏度范围内。