多晶硅是由大量单晶硅颗粒(称晶粒)和晶粒间界(叉称晶界)构成的。集成电路工艺中的多晶硅薄膜,晶粒尺寸通常在100nm左右,晶界宽度在0,5~1nm之间。 ACT334US-T不同的制备工艺,不同的薄膜厚度,多晶硅的晶粒和晶界尺寸略有不同。尽管在多晶硅薄膜中的晶粒可能是各种取向的都有,但通常存在优先方向。优先方向也是与制各工艺和薄膜厚度有关的。多晶硅薄膜的特性与单晶硅相似,但晶界的存在使得它叉具有一些特有性质。

   常用的多晶硅薄膜既有未掺杂的本征多晶硅,也有不同掺杂类型、不同掺杂浓度的n型或p型多晶硅。多晶硅的掺杂特性与单晶硅有所不同。晶界是具有高密度缺陷和未饱和悬挂键的区域,对杂质扩散和杂质分布都产生重要影响。在晶界上,掺杂原子的扩散系数明显高于晶粒内部的扩散系数,杂质沿着晶界的快速扩散使得整个多晶硅的杂质扩散速率明显增加。同样,杂质的分布也受到晶界

的影响。相同温度下,晶界上杂质的固溶度通常高于晶粒内部,在晶粒/晶界之间出现杂质的分凝现象,分凝系数通常小于1。