以PECVD方法制备氧化层,是利用K4B1G1646G-BCMA等离子体对化学反应的增强作用来促进薄膜在低温的淀积,因此,PECVD(九是低温工艺。使用的反应剂以硅源来划分有sH1系列和TEfB系列。在反应剂中可以掺人含B或者P的气体形成PSG或者BPSG。与APCVID si相比,PEC、0siO2薄膜应力、更不容易开裂;保形性好,更均匀,针孔也更少。但是,离子对衬底的轰击作用也限制了它在一些对等离子体敏感衬底上的应用。

    02、N2O和⒊H4在等离子体状态下低温反应淀积s02。

   当硅烷进人反应室将会发生分解反应:

   通常情况下不用sH4/O?的混合等离子体进行反应制备SlO2,这是因为氧等离子体反应活性很强,在气相氧等离子体就和⒏H?发生反应产生⒊α的颗粒污染,使薄膜的质量变差。例如,颗粒落在薄膜上产生针孔。

   sH4/N20的混合气体能生成更均匀的膜,  尽管在淀积的薄膜中含有少量的H和N,而薄膜成分分析值接近⒊O2化学计量比很少在MOS晶体管及电路中使用,这是因为O―H基团对MOS结构电学特性有不良影响。