等离子增强化学气相淀积(Phsma E岫⒛ced CX/Tl,PECVD)是采用等离子体技术把电能耦合到气体中,激活并维持化学反应进行薄膜淀积的一种工艺方法。K4B1G0846F-HCH9为了能够在较低温下发生化学气相淀积,必须利用一些能源来提高反应速率,进而降低化学反应对温度的敏感。PECVD就是用等离子体来增强较低温度下化学反应速率的。目前,在集成电路工艺中,只要是需要在较低温度淀积的介质薄膜或多晶硅薄膜,通常都采用PECVD工艺。

   图719是典型PECVD淀积室的示意图。反应气体从底部中央进人室内,沿径向在衬底上流过。将射频功率通过平行板式电极以电容方式与室内气体相耦合,等离子体就在上电极和下电极之问产生。衬底放置在可旋转、控温的下电极上。这种反应器出现得最早,也是应用最为广泛的反应器。但是,由于衬底是单层平放在下电极上,限制了衬底装载量,因此生产效率较低。

   ΠE、①除了上述典型设备之外,还有热壁式的设备。如图⒎⒛所示是一种改进型∏rˇD系统示意图,这类似于从到LPCX.D的改进。衬底放在一组平行电极附近,如图⒎⒛(b)侧视图所示。由于衬底是垂直放置,衬底之间的空间相当窄。因为相间的电极连接在射频发生器相反的两端,所以在每一个单独的衬底硅片之间都产生等离子体。这种反应器衬底硅片的装载量大大增加了,但是,也会出现气相反应带来的颗粒污染现象,以及气缺效应带来的膜厚不均匀问题。