常压化学气相淀积(Λtm°splleⅡc Pres乩te Cl/Il,APCⅥ⑵是最早出现的CVD艺,其淀积过程在大气压力下进行。APCVD系统结构简单,淀积速率可以超过0.1um/min,较快。目前在淀积较厚 OPA124UA的介质薄膜(如二氧化硅薄膜)日寸,仍被普遍采用。

   APCVD设备和气相外延设备很相似,甚至有些类型的设备可以相互通用。图⒎8所示是几种常用的APCVD设备的反应器结构示意图。APCVD的反应器多是采用射频线圈直接对基座(易感器)加热,所以是冷壁式反应器。其中,水平反应器是APCVD工艺中应用最早、用途最广的反应器。在这种反应器中,衬底硅片平放在固定的基座上,混合气体平行于衬底表面流动,气体如果从一个方向进入反应器,基座沿着气流方向有一定的倾斜角度,这和气相外延水平反应器类似,目的也是为了提高气体沿着流动方向的流速,以使边界层厚度沿此方向减薄,从而抵消因反应剂的消耗而带来的基座上衬底表面反应剂浓度的降低,使淀积薄膜的厚度一致。垂直反应器又称立式反应器,有多种类型,其中衬底硅片平放在旋转基座上,气体通过中央的管道流人石英钟罩,废气沿基座的边缘流出。这种反应器对薄膜厚度控制效果良好,实验室用APCVD设各通常采用这种类型的反应器。桶形反应器的基座是由旋转平板排列成的一个桶形多面体,它与垂直方向偏离几度,硅片就放在这些平板上,气流方向平行于衬底表面自上向下流动。这种反应器一次能装载较多硅片,又能较好地控制淀积薄膜的厚度,因此也是使用较多的反应器。