偏束板 离子束是在高真空中行进的,即使是极高的真空,也不免有残留的气体分子。于是快RF3400HNC2UM速行进的离子,仍然有可能与系统中的残留中性气体原子(或分子)相碰撞,进行电荷交换,使中性气体原子(或分子)失去电子,成为正离子,而原来带正电的束流离子获得电子,成为中性原子,并保持原来的速度和方向,与离子束一起前进成为中性束。真空度越差,中性束越强;束流行进的路径越长,中性束也越强。中性束不受静电场的作用,直线前进而注入靶片的某一点,因而严重影响注入层的均匀性。为此,在系统中设有静电偏转电极,使离子束流偏转5°左右再到达靶室,中性束因直线前进不能到达靶室,从而解决了中性束对注人均匀性的影响。

  靶室 靶室也称工作室,室内有安装靶片的样品架,它可以根据需要做相应的运动。另外还有真空排气系统和电子控制器等辅助设各。离子注入剂量理论上可以由离子电流大小来度量。简单采用法拉第杯计量离子电流和控制束流与注人剂量,即式中,r为电流;r为时问;A为注人面积。