在Ⅱ区内,当退火温度在500~600℃的范围内时,点缺陷通过重新组合或结团,凝聚为位错环一类较大尺寸的缺陷团(二次缺陷),降低其能量。M74HC14RM13TR因为硼原子非常小并和缺陷团有很强的作用,很容易迁移或结合到缺陷团中,处于非激活位置,因而出现随温度的升高而替位硼的浓度下降的现象,也就是自由载流子浓度随温度上升而下降的现象。在600℃附近替位硼浓度降到一个最低值。与500℃情况相比,在区域Ⅱ600℃它的最后状态是少量替代位硼原子和大量没有规定晶格位置的非替代位硼原子。囚此硼可能淀积在位错处或靠近位错处。

   在Ⅲ区中,替代位硼浓度以接近5,0eV激活能随温度上升而增加,此能量相当于在升高温度时s的自空位的产生和移位能。空位产生后移向非替代位硼即间隙硼处,使硼从非替代位淀积处离解出来,进人空位而处于替代位置,所以硼的电激活比例也随温度上升而增加。对于没有逆退火出现的低剂量硼注入情况,无须热产生空位就可发生替代行为。在接近10记olls/cm2剂量只需在800℃几分钟时间就完全退火。如果在室温下注入高剂量的硼,需要在更高的温度下退火才能得到理想的结果。只有剂量高于5×101G lo¨/cm2的室温硼注入,才形成无定形层。但是如果降低靶温,则可以获得无定形的剂量约为10Ⅱ ons/c。可以看到,即使硼剂量达到2×10・ons/cll・・,硅衬底仍然是晶体。当硼的剂量大于10炻ons/c耐时,硅表面层变成非晶态,非晶层下的单晶半导体起着非晶层再结晶的籽晶作用。沿〈100〉晶向外延生长速率在550℃时为100Ⅳ俪n,600℃时为500A/nlln,激活能为2.座eV9因此,100O~5000A的非晶层可在几分钟内完成再结晶。