离子注人深度随离子能量的增加而增加,囚此掺杂深度可通过控制离子束能量的高低来实现。 PA886C02另外,在注人过程中可精确控制电荷量,从而可精确控制掺杂浓度.因此通过控制注入离子的能量和剂量,以及采用多次注入相同或不同杂质,可得到各种形式的杂质分布,对于突变型的杂质分布及浅结的制各.采用离子注入技术很容易实现。

   离子注人是一个非热力学平衡过程,不受杂质在衬底材料中的固溶度限制,原则上对各种元素均可掺杂(但掺杂剂占据基质格点而变为激活杂质是有限的),这就使掺杂工艺灵活多样.适应性强。根据需要可从几十种元素中挑选合适的n型或p型杂质进行掺杂。

   离子注人时的衬底温度较低,这样就避免了高温扩散所引起的热缺陷。

   离子注人的直进性,注人杂质是按掩膜的图形近于垂直入射,这样的掺杂方法,横向效应比热扩散小很多,这一特点有利于芯片特征尺寸的缩小。

   离子往往可以通过硅表面上的薄膜(如sK)2)注入到硅中,因此硅表面上的薄膜起到了保护膜作用,可以防止污染。