水汽
发布时间:2017/5/12 21:29:39 访问次数:614
实验发现,在干氧氧化的气氛中,只要存在极少量的水汽,就会对氧化速率产生很大影响。对于OMAPL138BZCE3硅的(10O)晶面,在800℃的温度下进行干氧氧化时,当氧化剂气氛中的水汽含量小于1ppm时,氧化70O min,氧化层厚度为300A;在同样条件下,水汽含量为25ppm时,氧化层厚度为370A。在上述实验中,为了准确控制水汽含量,氧气源是液态的。为了防止高温下水汽通过石英管壁进人氧化炉内,氧化石英管是双层的,并在两层中间通有高纯氮或氩,这样可以把通过外层石英管进入到夹层中的水汽及时排除。
实验发现,在干氧氧化的气氛中,只要存在极少量的水汽,就会对氧化速率产生很大影响。对于OMAPL138BZCE3硅的(10O)晶面,在800℃的温度下进行干氧氧化时,当氧化剂气氛中的水汽含量小于1ppm时,氧化70O min,氧化层厚度为300A;在同样条件下,水汽含量为25ppm时,氧化层厚度为370A。在上述实验中,为了准确控制水汽含量,氧气源是液态的。为了防止高温下水汽通过石英管壁进人氧化炉内,氧化石英管是双层的,并在两层中间通有高纯氮或氩,这样可以把通过外层石英管进入到夹层中的水汽及时排除。
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