热氧化
发布时间:2017/5/11 22:05:28 访问次数:605
热氧化工艺是一种在硅片表面上生长二氧化硅薄膜的手段。热氧化层与硅之问完美的界面特性是成就硅时代的主要原因。KA3361D本章将在介绍二氧化硅基本性质的基础上,讨论二氧化硅薄膜的热氧化生长工艺和技术。
二氧化硅薄膜概述
硅表面总是覆盖着一层工氧化硅膜,即使刚刚解理的硅也是如此。在空气中一旦暴露,立即就生长出几个原子层的氧化膜,厚度为15~~9l^A,然后逐渐增长至40A左右停止,它具有良好的化学稳定性和电绝缘性。二氧化硅薄膜具有与硅的良好亲和性、稳定的物理化学性质、良好的可加I性,以及对掺杂杂质的掩蔽能力,在集成电路工艺中占有重要地位。
热氧化工艺是一种在硅片表面上生长二氧化硅薄膜的手段。热氧化层与硅之问完美的界面特性是成就硅时代的主要原因。KA3361D本章将在介绍二氧化硅基本性质的基础上,讨论二氧化硅薄膜的热氧化生长工艺和技术。
二氧化硅薄膜概述
硅表面总是覆盖着一层工氧化硅膜,即使刚刚解理的硅也是如此。在空气中一旦暴露,立即就生长出几个原子层的氧化膜,厚度为15~~9l^A,然后逐渐增长至40A左右停止,它具有良好的化学稳定性和电绝缘性。二氧化硅薄膜具有与硅的良好亲和性、稳定的物理化学性质、良好的可加I性,以及对掺杂杂质的掩蔽能力,在集成电路工艺中占有重要地位。
上一篇：工氧化硅结构
相关技术资料- 5-11热氧化
公网安备44030402000607
