外延图形的漂移和畸变现象是指在外延生长之前,硅片表面可能存在凹陷图形,外延生κ之后, MAX202CSE本该在外延表面相应位置出现完全相同的图形.却发生了图形的水平漂移、畸变,甚至消失的现象,如图⒊23所示。

   在进行外延片镜检时,有时会观察到外延图形的漂移和畸变现象。例如,在双极型集成电路制作I艺中,若在硅衬底做了掩埋扩散,对应于掩埋区存在凹陷图形,在这样的衬底上进行外延就可能出现图形的漂移或畸变现象。i而具体的漂移或畸变现象依赖于衬底取向、掺杂类型、浓度和掩埋扩散以及外延的I艺方法、生长温度、硅源的选择等具体情况。图形漂移和畸变现象的程度通常随置艺温度升高而减小,随外延生长速率的增大而增大。低压外延可以减小图形漂移和畸变现象的程度。衬底晶向对图形漂移和畸变现象有着重要影响,(100〉晶向外延,如果衬底硅片没有偏离(100)晶面,图形漂移和畸变程度就较小;〈111〉晶向外延,衬底硅片偏离(111)晶面2°~5°时影响最小,(111)晶面的外延衬底通常偏离该晶面.