喷射炉通常叉被称为努森(Knu摁en)池或K池。在生长室内有多个喷射炉,各喷射炉前都有快门。喷MAX1714AEEP射炉是为外延物质加热的源炉,加热器通常采用电子束加热。喷射炉能精确地保持特定温度,喷射 出的分子、原子束流量主要取决于炉温。在理想的喷躬炉巾,源的蒸气压与其固态或液态物质处于热力学平衡状态,仅有极少量蒸气通过小孔喷出,小孔要足够小,以便与炉内物质保持热力学平衡状态,与喷射炉小孔相距Z的衬底到达源分子(或原子)的流密度J匚单位:mdecde√(cn√・o]可由下式给出:式中,P为炉中气压;A为小孔面积;N为阿伏伽德罗常量;M为分子量;R为气体常量;乃:为玻耳兹 曼常数;T(K)为炉温;Q为蒸发潜热。

  由式(3-22)和式(3饣3)可得到源分子流密度∫和温度的关系,实际上为了提高生长速度和实现在衬底整个面积上的均匀生长,喷射炉的小孔不能过小,和理想情况有较大差距。

   MBE外延是通过调节喷射炉的炉温来控制束流密度,从而控制外延生长速率的。构成外延晶体的各组分和掺杂剂的浓度是通过调节炉温来控制各个束流密度,并相对各个束流通量进行适量调节的。通过控制各个喷射炉快门来改变生长外延薄膜的组分和掺杂剂。