多年来体硅是微芯片制造的传统衬底。 G12-3630电性能要求新的衬底，例如像在蓝宝石这样的绝缘层t：硅( SOI)，金刚石上硅(SOD)。金刚石比硅散热更好。另一种结构是淀积在锗硅晶圆卜的应变硅层。当预先在绝缘屡E淀积的Si/Ge( SOI)层上淀积硅原子，会产生应变硅、，Si/Ge原子之间间距比正常的硅更宽。在淀积过程中，硅原子对着Si/Ge原子“伸长”，沾污硅层，电效应是降低硅的电阻，使得电子运动加快70%。这种结构为MOS晶体管的性能带来厂益处（见第16章）。

   在对更快和更可靠的存储器研究中，铁电体成为一种可行的方案。一个存储器单元必须用两种状态中的一种（开／关、高／低、0/1）存储信息，能够快速响应（渎写）和可靠地改变状态。铁电材料电容如PbZr，一。T。03( PZT)和SrBi，Ta：09( SBT)正好表现出这砦特性。它们并入SiCMOS（见第16章）存储电路，叫做铁电随机存储器(FeRAM).

   金刚石半导体

   摩尔定律不能无限期地确定未来。一个终点是当晶体管的部分变得如此小，以至于物理控制的晶体管不再工作。另一个限制是散热。更大和更密的芯片工作时非常热。遗憾的足，高温还能降低电性能并能使芯片失效。金刚石是一种晶体材料，其散热比硅快得多．尽管有这些优点，作为半导体晶圆的金刚石面临着成本、一致性和寻找大的金刚石货源的障碍。然而，有使用气相淀积技术合成金刚石的新的研究。同耐，研究金刚石具有N型和P型电导性使金刚石半导体的可能性变为现实。这种材料正在探讨中，或许在未来制造领域能找到用武之地6。