三相CCD多路传输图解
发布时间:2017/4/24 20:51:03 访问次数:1306
在栅极上加高电平形成可存储光生电荷的势阱(Potential We11),势阱的作用相当于可存储电荷的“桶”。EZJP0V080GA在栅极上加零电压或负电压则形成势垒(Potential BaⅡer),势垒可理解为起隔离电荷作用的“隔板”。
在图3-51中,当栅极P2加正电压,栅极P1、P3电压为零时,P2下面形成势阱,Pl、P3下面形成势垒。注入的电荷被限制在势垒所包围的势阱中。
图3-51 三相CCD多路传输图解
按适当的时序改变栅极电压,可依序将势阱中的电荷包传输至输出端。以三相CCD多路传输器为例。若♀1、♀2、♀3分别为三个栅极电压,当♀1最高,%=【pR〓0时,电荷趋于流向最高表面电势,电荷被存储在第一栅极下面半导体薄层的势阱中。
增加%并将♀1减少到零将强迫靠近半导体表面的电荷流入第二栅极下的势阱中。这一过程在饧和【PR之间重复,可将电荷包再次转移至第三栅极下的势阱中。通过CCD末端的扩散区,可使CCD的输出电荷转移到源极跟随器的栅极上。源极跟随器的栅极必须在下一个信号到达之前复位。
在转移过程中,CCD必须提供信号电荷包之间的隔离并有极高的电荷转移效率。不完全转移引起的电荷损失将导致信号下降,或者因为被损失的电荷出现在下一个电荷包中而导致串音。
在栅极上加高电平形成可存储光生电荷的势阱(Potential We11),势阱的作用相当于可存储电荷的“桶”。EZJP0V080GA在栅极上加零电压或负电压则形成势垒(Potential BaⅡer),势垒可理解为起隔离电荷作用的“隔板”。
在图3-51中,当栅极P2加正电压,栅极P1、P3电压为零时,P2下面形成势阱,Pl、P3下面形成势垒。注入的电荷被限制在势垒所包围的势阱中。
图3-51 三相CCD多路传输图解
按适当的时序改变栅极电压,可依序将势阱中的电荷包传输至输出端。以三相CCD多路传输器为例。若♀1、♀2、♀3分别为三个栅极电压,当♀1最高,%=【pR〓0时,电荷趋于流向最高表面电势,电荷被存储在第一栅极下面半导体薄层的势阱中。
增加%并将♀1减少到零将强迫靠近半导体表面的电荷流入第二栅极下的势阱中。这一过程在饧和【PR之间重复,可将电荷包再次转移至第三栅极下的势阱中。通过CCD末端的扩散区,可使CCD的输出电荷转移到源极跟随器的栅极上。源极跟随器的栅极必须在下一个信号到达之前复位。
在转移过程中,CCD必须提供信号电荷包之间的隔离并有极高的电荷转移效率。不完全转移引起的电荷损失将导致信号下降,或者因为被损失的电荷出现在下一个电荷包中而导致串音。
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